1、氮?dú)?N2，純度要求>99．999%，用作規(guī)范氣體、在線外表規(guī)范氣、校正氣、零點(diǎn)氣、平衡氣；用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、分散、化學(xué)氣相淀積、離子注入、等離子干刻、光刻，退火搭接、燒結(jié)等工序；電器、食物包裝，化學(xué)等工業(yè)也要用氮?dú)狻?/p>

    2、氧氣-O2,>99．995％，用作規(guī)范氣體、在線外表規(guī)范氣體、校正氣、零點(diǎn)氣；還可用于醫(yī)療氣，在半導(dǎo)體器材制備工藝中用于熱氧化，分散、化學(xué)氣相淀積、等離子干刻等工序，以及用于光導(dǎo)纖維的制備。

    3、氬氣-Ar，>99．999％，用作規(guī)范氣體、零點(diǎn)氣、平衡氣；甩于半導(dǎo)體器材制備工藝中晶體生長(zhǎng)、熱氧化、外延，分散、氮化，噴發(fā)，等離子干刻、載流、退火搭接，燒結(jié)等工序；特種混合氣與工業(yè)混合氣也使用氬。

    4、氫氣-H2,>99.999%，用作規(guī)范氣體、零點(diǎn)氣、平衡氣、校正氣、在線外表規(guī)范氣;在半導(dǎo)體器材制備工藝中用于晶體生長(zhǎng)，熱氧化，外延、分散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結(jié)等工序；在化學(xué)，冶金等工業(yè)中也有用。

    5、氦氣-He，>99.999%，用作規(guī)范氣體、零點(diǎn)氣平衡氣，校正氣、醫(yī)療氣、用于半導(dǎo)體器材錯(cuò)備工藝中晶體生長(zhǎng)，等離子干刻載流等工序；別的，特種混合氣與工業(yè)混臺(tái)氣也常用．

    6、氯氣-Cl2，>99.86％，用作規(guī)范氣體，校正氣,用于半導(dǎo)體器材制備工藝中晶體生長(zhǎng)、等離子干刻、熱氧化等工序；別的，用于水凈化，紙漿與紡織品的漂白、工業(yè)廢品、污水、游泳池的衛(wèi)生處理，制備許多化學(xué)產(chǎn)品。

    7、氟氣-F2，>98%用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻；別的，用于制備六氟化鈾、六氟化硫、三氟化硼和金屬氟化物等。

    8、氨氣-NH3，>99.995％，用作規(guī)范氣體、校正氣、在線外表規(guī)范氣；用于半導(dǎo)體器材制備工藝中氮化工序，別的，用于制冷、化肥，石油、采礦、橡膠等工業(yè)。

    9、氯化氫-HCI，>99.995%，用作規(guī)范氣體,用于半導(dǎo)休器材制備工藝中外延、熱氧化、分散等工序；別的，用于橡膠氯氫化反應(yīng)中的化學(xué)中間體、出產(chǎn)乙烯基和烷基氯化物時(shí)起氧氯化作用。

    10、一氧化氮-N0，>99％，用作規(guī)范氣體，校正氣；用于半導(dǎo)體器材制備工藝中化學(xué)氣相淀積工序，制備監(jiān)控大氣污染的規(guī)范混合氣。

    11、二氧化碳-CO2，>99.99%，用作規(guī)范氣體、在線外表規(guī)范氣體，校正氣;用于半導(dǎo)體器材制備工藝中氧化，載流工序，別的，還用于特種混合氣、發(fā)電，氣體置換處理、殺菌氣體稀釋劑、滅火劑、食物冷凍、金屬冷處理，飲料充氣，煙霧噴發(fā)劑，食物儲(chǔ)存維護(hù)氣等。

    12、氧化亞氮-N2O，(即笑氣)，>99.999%用作規(guī)范氣體、醫(yī)療氣;用于半導(dǎo)體器材制備工藝中化學(xué)氣相淀積、醫(yī)用麻醉劑、煙霧噴發(fā)劑、真空和帶壓檢漏，紅外光譜剖析儀等也用。

    13、硫化氫-H2S，>99.999％，用作規(guī)范氣體，校正氣，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻，化學(xué)工業(yè)中用于制備硫化物，如硫化鈉，硫化有機(jī)物；用作溶劑；實(shí)驗(yàn)定量剖析用。

    14、四氯化碳-CCl4,>99.99％，用作規(guī)范氣體,用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延，化學(xué)氣相淀積等工序；別的用作溶劑，有機(jī)物的氯化劑，香料的浸出劑，纖維的脫脂劑、滅火劑、剖析試劑、制備氯仿和藥物等。

    15、氰化氫-HCN，>99.9%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻工序；制備氫氰酸溶液；金屬氰化物、氰氯化物；也用于制備丙烯腈和丙烯衍生物的組成中間體。

    16、碳酰氟-COF2，>99.99%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻工序；別的；用作氟化劑。

    17．碳酰硫-COS，>99.99%，用作校正氣;用于半導(dǎo)體器材制備工藝中離子注入工序;也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸鹽和噻唑的組成。

    18．碘化氫-HI，>99.95%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中離子注入工序;還用于氫碘酸溶液制備。

    19．溴化氫-HBr，>99.9％，用于半導(dǎo)體制備工藝中等離子干刻工序；用作還原劑，制備有機(jī)及無機(jī)溴化合物。

    2O，硅烷-SiH4，>99.999％，電阻率>100Ω/cm2，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積等工序。

    21．乙硅烷-Si2H6，>99.9%，用于半導(dǎo)體制備工藝中化學(xué)氣相淀積

    22．磷烷-PH3,>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、分散、化學(xué)氣

    相淀積、離子注入等工序：磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體，可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。

    23．砷烷-AsH3，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、擴(kuò)敷、化學(xué)氣相淀積、離子注入等工序。

    24．硼烷-B2H6，>99.995%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、分散、氧化等工序；用于有些化學(xué)工業(yè)組成過程：如氫硼化反應(yīng)(即生成醇類)，有機(jī)功用的闌珊，制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。

    25．鍺烷-GeH4，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、離子注入工序。

    26．銻烷-SbH3，>99.999％，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、離子注入工序。

    27．四氧甲硅烷-si(OC2H5)4，>99.99‰用于半導(dǎo)體器材制備工藝中化學(xué)氣相淀積工序。

    28．乙烷-C2H6，>99.99％，用作規(guī)范氣、校正氣、在線外表規(guī)范氣;用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻工序;還用于冶金工業(yè)的熱處理，化學(xué)工業(yè)中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。

    29．丙烷-C3H8，>99.99%，用作規(guī)范氣、校正氣、在線外表規(guī)范氣;用于半導(dǎo)體器材制備工藝中等離子干刻工序;別的，用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的質(zhì)料。

    30．硒化氫-H2Se，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中分散、離子注入工序．

    31．碲化氧-H2Te，>99.999％，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中分散、離子注入工序.

    32．二氯二氫硅-siH2cl2，>99.999％，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

    33．三氯氫硅-siHCl3，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

    34．二甲基碲-(CH3)2Te，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中分散．離子注入工序。

    35．二乙基碲-(C2H5)2Te，>99.999%，用處同(34)。

    36．二甲基鋅-(CH6)2Zn，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中化學(xué)氣相淀積工序。

    37．二乙基鋅->99.999%，用處同(36)。

    38．三氯化磷-Pcl3，>99.99%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中分散，鍺的外延生長(zhǎng)和離子注入工藝-PCI是有機(jī)物的杰出氯化劑，也用于含磷有機(jī)物的組成。

    39．三氯化砷-AsCl3，>99.99％，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中的外延和離子注入。

    40．三氯化硼-Bcl3，>99.99％，用于等離子干刻、分散;作硼載氣及一些有機(jī)反應(yīng)的催化劑|精粹鎂、鋅、鋁、銅合金時(shí)從溶化金屬中除去氮、碳，氧化合物。

    41、四氯化硅-SiCl4，>99.999%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中外延、化學(xué)氣相淀積工序。

    42、四氯化錫-SnCl4，>99.9%，用于外延，離子注入。

    43、四氯化鍺-Gecl4，>99.999％，用于離子注入。

    44、四氯化鈦-TiCl4，>99.99％，用于等離子干刻。

    45、五氯化磷-PCl5，>99.99％，用于外延、離子注入。

    46、五氯化銻-SbCl6，>99.99％，用于外延、離子注入。

    47、六氯化鉬-MoCl6，>99.9%，用于化學(xué)氣相淀積。

    48、三溴化硼-BBr3，>99.99%，用于半導(dǎo)體器材制備工藝中離子注入工序和制備光導(dǎo)纖維。

    49、三溴化磷-PBr3，>99.99％，用于外延、離子注入。

    50、磷酰氯-POCl3，>99.999％，用于分散工序。

    51、三氟化硼-BF3，>99.99％，用于離子注入，別的，可作載氣、某些有機(jī)反應(yīng)的催化劑，精粹鎂，鋅、鋁、銅合金時(shí)從熔化金屬中除去氮，氧、碳化物。

    52、三氟化磷-PF3，>99%，用于外延、離子注入工序；別的用作氟化劑。

    53、三氟化砷-AsF3，>99.9%，用處同(12）

    54、二氟化氙-xeF2，>99.9%，用于外延、離子注入工序，用于固定模具氙的考察及原子反應(yīng)堆排放廢氣中氙的測(cè)定。

    55、三氟氯甲烷-(R一13)，99.995%，用于等離子干刻工序；冷凍劑、空調(diào)均可用。

    56、三氟甲烷-CHF3，(R一23)，>99.999％，用于等離子干刻工序；低溫冷凍劑。

    57、三氟化氮-NF3，>99.99％，用于等離子干刻工序|火箭推進(jìn)劑、氟化劑。

    58、三氟溴甲烷-CBrF3，(R13B1)，>99.99%，用于等離子干刻工序;還用于空調(diào)、低溫冷凍及滅火劑。

    59、三氟化硼，>99.99%，用于離子注入工序；還用于制備光導(dǎo)纖維。

    60、四氟化碳-CF4，(R一14)，>99.99%，用于等離子干刻工序；在很低溫度下作為低溫流體用，也用于中性及惰性氣體。